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QEE123

QEE123 ON Semiconductor

qee123-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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Technische Details QEE123 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns, tariffCode: 85414100, Bauform - Diode: Radial bedrahtet, Durchlassspannung Vf max.: 1.7V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Abfallzeit tf: 800ns, MSL: -, usEccn: EAR99, Spitzenwellenlänge: 890nm, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr, Halbwertswinkel: 50°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA, Produktpalette: QEE12X Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 100°C, Anstiegszeit: 900ns, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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QEE123 QEE123 Hersteller : ON Semiconductor qee123-d.pdf Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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QEE123 QEE123 Hersteller : ON Semiconductor qee123-d.pdf Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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QEE123 QEE123 Hersteller : ON Semiconductor qee123-d.pdf Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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QEE123 QEE123 Hersteller : onsemi / Fairchild QEE123_D-2320046.pdf Infrared Emitters - High Power 0.4mW 1.7V IR LED
auf Bestellung 17176 Stücke:
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QEE123 QEE123 Hersteller : onsemi QEE122_123.pdf Description: EMITTER IR 880NM 50MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V
Viewing Angle: 50°
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8mW/sr @ 100mA
auf Bestellung 1481 Stücke:
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10+1.81 EUR
14+1.28 EUR
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1000+0.76 EUR
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QEE123 QEE123 Hersteller : ONSEMI QEE123-D.pdf Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: Radial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr
Halbwertswinkel: 50°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: QEE12X Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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QEE123 Hersteller : ONSEMI QEE122_123.pdf QEE123 IR LEDs
auf Bestellung 163 Stücke:
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QEE123 QEE123 Hersteller : ON Semiconductor 3677304928306911qee122.pdf Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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QEE123 QEE123 Hersteller : ON Semiconductor qee123-d.pdf Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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QEE123 QEE123 Hersteller : ON Semiconductor qee123-d.pdf Infrared Emitter 890nm 9mW/sr Circular Right Angle 2-Pin Side Looker Bag
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