QH12TZ600Q Power Integrations
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Technische Details QH12TZ600Q Power Integrations
Description: POWER INTEGRATIONS - QH12TZ600Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 12 A, Einfach, 3.1 V, 11.6 ns, 350 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 350A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 3.1V, Sperrverzögerungszeit: 11.6ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Qspeed H Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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QH12TZ600Q | Hersteller : POWER INTEGRATIONS |
 Description: POWER INTEGRATIONS - QH12TZ600Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 12 A, Einfach, 3.1 V, 11.6 ns, 350 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 350A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 3.1V Sperrverzögerungszeit: 11.6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Qspeed H Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| QH12TZ600Q | Hersteller : Power Integrations |
Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11.6 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V |
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