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QH8MB5TCR

QH8MB5TCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QH8MB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details QH8MB5TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n- und p-Kanal, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote QH8MB5TCR nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QH8MB5TCR QH8MB5TCR Rohm Semiconductor qh8mb5tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
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171+1.02 EUR
500+0.83 EUR
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QH8MB5TCR QH8MB5TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8MB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 40V 4.5A/5.0A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
auf Bestellung 2195 Stücke:
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2+2.43 EUR
10+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QH8MB5TCR QH8MB5TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
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QH8MB5TCR QH8MB5TCR ROHM 3312850.pdf Description: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
116+2.01 EUR
164+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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QH8MB5TCR QH8MB5TCR Rohm Semiconductor qh8mb5tcr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
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QH8MB5TCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
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MOSFETs 40V 4.5A/5.0A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
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QH8MB5TCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
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Verlustleistung Pd: 1.5
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034
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Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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QH8MB5TCR
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Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
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