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QRE1113GR

QRE1113GR ON Semiconductor

qre1113d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
auf Bestellung 53000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details QRE1113GR ON Semiconductor

Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Durchlassstrom If: 50mA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Betriebstemperatur, min.: -40°C, IP-Schutzart: -, Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C, Messmethode: Reflektiv, hazardous: false, Produktpalette: -, usEccn: EAR99, Durchlassstrom If, max.: 50mA, Messabstand / Gabelweite: -, Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing, Erfassungsabstand: 5mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Ausgangsspannung, max.: 20V, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Versorgungsspannung, min.: -, Durchlassspannung: 1.2V, Ausgangsspannung: 30V, Sensormontage: Oberflächenmontage, Qualifikation: -, Sensorausgang: Fototransistor, Optokopplerausgang: Fototransistor, Eingangsstrom: 20mA, Sperrspannung, Vr: 5V, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, euEccn: NLR.

Weitere Produktangebote QRE1113GR nach Preis ab 0.36 EUR bis 7.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QRE1113GR QRE1113GR ON Semiconductor qre1113d.pdf Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
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QRE1113GR QRE1113GR ON Semiconductor qre1113d.pdf Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
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1000+0.69 EUR
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QRE1113GR QRE1113GR onsemi qre1113-d.pdf Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1484000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.81 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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QRE1113GR QRE1113GR onsemi qre1113-d.pdf Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Sensor
auf Bestellung 188347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.13 EUR
100+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QRE1113GR QRE1113GR onsemi qre1113-d.pdf Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1484384 Stücke:
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11+2.03 EUR
15+1.43 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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QRE1113GR QRE1113GR ONSEMI 2298118.pdf Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
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QRE1113GR QRE1113GR ONSEMI 2298118.pdf Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
auf Bestellung 8466 Stücke:
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QRE1113GR ON-Semiconductor qre1113-d.pdf Photomicrosensor, reflective, phototransistor output Mounting: SMT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=50mW, -40?85°C QRE1113GR OOQRE1113gr
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.46 EUR
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QRE1113GR ONS/FAI QRE1113.pdf Датчики оптичних величин та зображень
auf Bestellung 385 Stücke:
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1+7.9 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
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AnzahlPrivatkunde
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Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
auf Bestellung 10850 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
219+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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QRE1113GR
Hersteller: onsemi
Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1484000 Stücke:
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QRE1113GR
Hersteller: onsemi
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Sensor
auf Bestellung 188347 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.03 EUR
10+1.13 EUR
100+0.9 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
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QRE1113GR
Hersteller: onsemi
Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
auf Bestellung 1484384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.03 EUR
15+1.43 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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QRE1113GR 2298118.pdf
QRE1113GR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
auf Bestellung 8376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QRE1113GR 2298118.pdf
QRE1113GR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
auf Bestellung 8466 Stücke:
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Photomicrosensor, reflective, phototransistor output Mounting: SMT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=50mW, -40?85°C QRE1113GR OOQRE1113gr
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QRE1113GR QRE1113.pdf
Hersteller: ONS/FAI
Датчики оптичних величин та зображень
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