QS5U33TR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).