| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.14 EUR |
| 10+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| 6000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details QS5U33TR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote QS5U33TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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QS5U33TR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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QS5U33TR | ROHM |
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| QS5U33TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Produkt ist nicht verfügbar
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| QS5U33TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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