QS6K1TR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.39 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details QS6K1TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote QS6K1TR nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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QS6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 5253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
auf Bestellung 8526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS6K1TR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
auf Bestellung 14442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QS6K1TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QS6K1TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| QS6K1TR | Hersteller : ROHM |
05+ |
auf Bestellung 27010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| QS6K1 TR | Hersteller : ROHM | SOT23-4 |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| QS6K1 TR | Hersteller : ROHM | SOT26 |
auf Bestellung 5290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| QS6K1TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R |
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