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QS6K1TR

QS6K1TR Rohm Semiconductor

qs6k1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
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Technische Details QS6K1TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor qs6k1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.81 EUR
259+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 8526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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QS6K1TR QS6K1TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
auf Bestellung 14442 Stücke:
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2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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QS6K1TR QS6K1TR ROHM qs6k1-e.pdf Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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QS6K1TR QS6K1TR ROHM qs6k1-e.pdf Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 635 Stücke:
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QS6K1TR ROHM datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 05+
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QS6K1 TR ROHM SOT26
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QS6K1TR datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K1TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
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Anzahl Preis
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QS6K1TR
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Anzahl Preis
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259+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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QS6K1TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
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Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 8526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
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1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
auf Bestellung 14442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
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QS6K1TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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QS6K1TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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QS6K1TR datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM
05+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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QS6K1 TR
Hersteller: ROHM
SOT26
auf Bestellung 5290 Stücke:
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