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QS6M4TR

QS6M4TR Rohm Semiconductor

46621085630317672qs6m4.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details QS6M4TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6M4TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.23 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.7 EUR
256+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 8731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.98 EUR
273+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 8731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
176+0.94 EUR
273+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR ROHM qs6m4.pdf Description: ROHM - QS6M4TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.75 EUR
229+1.01 EUR
351+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
auf Bestellung 11537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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 Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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QS6M4 TR ROHM SOT26
auf Bestellung 3000 Stücke:
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QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6M4TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
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QS6M4TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
245+0.7 EUR
256+0.67 EUR
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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 8731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
176+0.98 EUR
273+0.62 EUR
500+0.46 EUR
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Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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AnzahlPrivatkunde
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176+0.94 EUR
273+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
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6000+0.26 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
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20+1.06 EUR
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QS6M4TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - QS6M4TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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QS6M4TR
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
auf Bestellung 11537 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+1.86 EUR
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QS6M4TR 46621085630317672qs6m4.pdf
QS6M4TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4 TR
Hersteller: ROHM
SOT26
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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