QS6U22TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6U22TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.43 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 1.5, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 900, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 900, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).