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QS6Z5TR

QS6Z5TR Rohm Semiconductor

qs6z5tr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
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Technische Details QS6Z5TR Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, 400MHz, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QS6Z5TR QS6Z5TR Rohm Semiconductor qs6z5tr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
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127+1.14 EUR
194+0.74 EUR
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QS6Z5TR QS6Z5TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6Z5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz, 400MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 3070 Stücke:
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10+1.95 EUR
15+1.23 EUR
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500+0.63 EUR
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QS6Z5TR QS6Z5TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6Z5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT457 60V 1A NPN/PNP BISS
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2+2.13 EUR
10+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.5 EUR
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QS6Z5TR QS6Z5TR Rohm Semiconductor qs6z5tr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
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