QS8J4FRATR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - QS8J4FRATR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 4, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.5, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2.5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).