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QSD123

QSD123 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 Bag
auf Bestellung 1250 Stücke:
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Technische Details QSD123 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm), tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Abstrahlwinkel: 24°, Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QSD123 QSD123 ON Semiconductor qsd123-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 Bag
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QSD123 QSD123 ONSEMI QSD123.PDF Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
LED lens: black with IR filter
auf Bestellung 531 Stücke:
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105+0.82 EUR
151+0.57 EUR
184+0.46 EUR
213+0.4 EUR
249+0.35 EUR
300+0.29 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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QSD123 QSD123 onsemi qsd123-d.pdf Description: SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 24°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
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25+0.87 EUR
250+0.57 EUR
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1000+0.49 EUR
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5000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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QSD123 QSD123 onsemi / Fairchild qsd123-d.pdf Phototransistors 4mA PHOTO TRANS
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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QSD123 QSD123 ONSEMI 2287891.pdf Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 Bag
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QSD123
Hersteller: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
LED lens: black with IR filter
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QSD123
Hersteller: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 24°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
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QSD123
Hersteller: onsemi / Fairchild
Phototransistors 4mA PHOTO TRANS
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QSD123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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