QSE113 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Part Status: Active
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Viewing Angle: 50°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 880nm
Package / Case: Radial, Side View
Packaging: Bulk
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.36 EUR |
| 19+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.59 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details QSE113 onsemi
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet, tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Abstrahlwinkel: 25°, Bauform - Transistor: Radial bedrahtet, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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QSE113 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtettariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abstrahlwinkel: 25° Bauform - Transistor: Radial bedrahtet Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |

