QSE113 ON Semiconductor
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Technische Details QSE113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet, tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Abstrahlwinkel: 25°, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Radial bedrahtet, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99.
Weitere Produktangebote QSE113 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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QSE113 | ON Semiconductor |
 Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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QSE113 | onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD Packaging: Bulk Package / Case: Radial, Side View Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Viewing Angle: 50° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW |
auf Bestellung 7983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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QSE113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 25° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Radial bedrahtet Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| QSE113 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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| QSE113 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| QSE113 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
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| 500+ | 0.68 EUR |
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| QSE113 |
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Hersteller: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
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|---|---|
| 12+ | 1.88 EUR |
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| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
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| QSE113 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
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euEccn: NLR
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Wellenlänge, typ.: 880nm
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MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 2.7 EUR |
| 133+ | 1.75 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 162+ | 1.32 EUR |
| 182+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |