QSE113 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Part Status: Active
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Viewing Angle: 50°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 880nm
Package / Case: Radial, Side View
Packaging: Bulk
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.62 EUR |
| 19+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
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Technische Details QSE113 onsemi
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet, tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Abstrahlwinkel: 25°, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Radial bedrahtet, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
QSE113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 25° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Radial bedrahtet Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 9396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| QSE113 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
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Stromverbrauch: 100mW
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MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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