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QSE114

QSE114 ON Semiconductor

qse114-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
auf Bestellung 403 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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321+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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Technische Details QSE114 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s), tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Abstrahlwinkel: 50°, Bauform - Transistor: -, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote QSE114 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
QSE114 QSE114 onsemi QSE114-D.pdf Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Viewing Angle: 50°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 880nm
Package / Case: Radial, Side View
Packaging: Bulk
auf Bestellung 19386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
22+0.96 EUR
100+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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QSE114 QSE114 ON Semiconductor qse114jp-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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QSE114 QSE114 onsemi / Fairchild QSE114-D.pdf Phototransistors 1mA PHOTO TRANS
auf Bestellung 5308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.45 EUR
10+1.01 EUR
100+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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QSE114 QSE114 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
195+1.19 EUR
216+1 EUR
241+0.89 EUR
273+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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Hersteller: onsemi
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Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Viewing Angle: 50°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 880nm
Package / Case: Radial, Side View
Packaging: Bulk
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Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
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euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
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