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QSZ2TR

QSZ2TR Rohm Semiconductor

318qsz2.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 5-Pin TSMT T/R
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Technische Details QSZ2TR Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 1.25W, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 300MHz, 280MHz, Supplier Device Package: TSMT5.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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QSZ2TR QSZ2TR Hersteller : Rohm Semiconductor 318qsz2.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 5-Pin TSMT T/R
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QSZ2TR QSZ2TR Hersteller : ROHM Semiconductor TSMT5_TR_taping.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
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QSZ2TR QSZ2TR Hersteller : Rohm Semiconductor TSMT5_TR_taping.pdf Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz, 280MHz
Supplier Device Package: TSMT5
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QSZ2TR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR TSMT5_TR_taping.pdf QSZ2TR Complementary transistors
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QSZ2TR TSMT5_TR_taping.pdf
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QSZ2TR QSZ2TR Hersteller : Rohm Semiconductor TSMT5_TR_taping.pdf Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz, 280MHz
Supplier Device Package: TSMT5
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QSZ2TR Hersteller : onsemi / Fairchild TSMT5_TR_taping.pdf Bipolar Transistors - BJT
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