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R1LP5256ESP-5SI#B1

R1LP5256ESP-5SI#B1 Renesas Electronics

REN_r10ds0268ej0200_memory_a_DST_20191029-3075967.pdf Hersteller: Renesas Electronics
SRAM SRAM 256KB X8 5V SOP 55NS -40TO85C
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Technische Details R1LP5256ESP-5SI#B1 Renesas Electronics

Description: RENESAS - R1LP5256ESP-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32Kword x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: SOP, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 32Kword x 8 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 55ns, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 32Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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R1LP5256ESP-5SI#B1 R1LP5256ESP-5SI#B1 Hersteller : Renesas Electronics Corporation r1lp5256e-series-datasheet Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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R1LP5256ESP-5SI#B1 R1LP5256ESP-5SI#B1 Hersteller : RENESAS RNCC-S-A0010898349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - R1LP5256ESP-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32Kword x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32Kword x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 32Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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