R1RW0416DSB-2PR#S1 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: ASYNC. 4M FAST SRAM
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details R1RW0416DSB-2PR#S1 Renesas Electronics Corporation
Description: ASYNC. 4M FAST SRAM, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 12 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| R1RW0416DSB-2PR#S1 | Renesas Electronics |
SRAM 4M FAST SRAM 3.3V x16 TSOP44 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R1RW0416DSB-2PR#S1 |
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