R2P020N06HZGT100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 2A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.14 EUR |
| 16+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
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Technische Details R2P020N06HZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Weitere Produktangebote R2P020N06HZGT100
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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R2P020N06HZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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R2P020N06HZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R2P020N06HZGT100 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| R2P020N06HZGT100 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: ROHM - R2P020N06HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)