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R6004JNXC7G

R6004JNXC7G Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6004JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
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Technische Details R6004JNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.43 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6004JNXC7G R6004JNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover
auf Bestellung 1211 Stücke:
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10+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+2.03 EUR
1000+2 EUR
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R6004JNXC7G R6004JNXC7G ROHM datasheet?p=R6004JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.43 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
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MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover
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5000+1.89 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.43 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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