Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6007RND3TL1
R6007RND3TL1

R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor


r6007rnd3tl1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote R6007RND3TL1 nach Preis ab 1.12 EUR bis 2.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
R6007RND3TL1 R6007RND3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor r6007rnd3tl1-e.pdf MOSFETs TO252 650V 21A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6007RND3TL1 R6007RND3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor r6007rnd3tl1-e.pdf Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.38 EUR
11+1.73 EUR
25+1.57 EUR
100+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6007RND3TL1 R6007RND3TL1 Hersteller : ROHM r6007rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6007RND3TL1 R6007RND3TL1 Hersteller : ROHM r6007rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH