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R6009KND3TL1

R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.27 EUR
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Technische Details R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm.

Weitere Produktangebote R6009KND3TL1 nach Preis ab 1.42 EUR bis 6.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor r6009knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.98 EUR
100+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor r6009knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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55+3.2 EUR
75+2.24 EUR
76+2.13 EUR
77+2.05 EUR
100+1.5 EUR
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R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor r6009knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.21 EUR
75+2.3 EUR
76+2.17 EUR
100+1.63 EUR
250+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
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6+4.05 EUR
10+2.71 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.44 EUR
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R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM r6009knd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
61+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM r6009knd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Supplier Device Package: TO-252
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Hersteller: ROHM
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Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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