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R6010YND3TL1

R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor

r6010ynd3tl1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 92W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor r6010ynd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
100+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor r6010ynd3tl1-e.pdf Description: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor r6010ynd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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47+3.77 EUR
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R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor r6010ynd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 ROHM Semiconductor r6010ynd3tl1-e.pdf MOSFETs 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.2 EUR
100+2.31 EUR
500+1.93 EUR
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R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 ROHM r6010ynd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 92W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
58+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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R6010YND3TL1 R6010YND3TL1 ROHM r6010ynd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
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R6010YND3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
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R6010YND3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
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Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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R6010YND3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 78 Stücke:
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