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R6010YNXC7G

R6010YNXC7G Rohm Semiconductor

r6010ynxc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
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Technische Details R6010YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6010YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 47W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6010YNXC7G R6010YNXC7G Rohm Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R6010YNXC7G R6010YNXC7G Rohm Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
auf Bestellung 983 Stücke:
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5+4.65 EUR
10+3.45 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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R6010YNXC7G R6010YNXC7G ROHM Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf MOSFETs 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
auf Bestellung 996 Stücke:
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1+5.26 EUR
10+3.42 EUR
100+2.51 EUR
500+2.12 EUR
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R6010YNXC7G R6010YNXC7G ROHM 4197360.pdf Description: ROHM - R6010YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 79 Stücke:
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35+7.22 EUR
54+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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R6010YNXC7G R6010YNXC7G Rohm Semiconductor r6010ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R6010YNXC7G
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
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Description: ROHM - R6010YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 47W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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