R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 33A, Power dissipation: 124W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: TO252, On-state resistance: 720mΩ, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote R6011KND3TL1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 5.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6011KND3TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply. |
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| R6011KND3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252 Mounting: SMD Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 124W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO252 On-state resistance: 720mΩ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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R6011KND3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 |
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| R6011KND3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252 Mounting: SMD Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 124W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO252 On-state resistance: 720mΩ |
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