R6012FNX Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).