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R6015ANX

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Produktcode: 105991
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6015ANX R6015ANX Rohm Semiconductor 529487995995523r6015anx-e.p.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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R6015ANX R6015ANX Rohm Semiconductor r6015anx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.87 EUR
100+5.64 EUR
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R6015ANX R6015ANX Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ANX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+8.29 EUR
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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R6015ANX 529487995995523r6015anx-e.p.pdf
R6015ANX
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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R6015ANX
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
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