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R6020YNXC7G

R6020YNXC7G Rohm Semiconductor

r6020ynxc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R6020YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 62W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm.

Weitere Produktangebote R6020YNXC7G nach Preis ab 1.56 EUR bis 7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6020YNXC7G R6020YNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020YNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.78 EUR
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R6020YNXC7G R6020YNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020YNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
50+2.33 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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R6020YNXC7G R6020YNXC7G ROHM r6020ynxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
53+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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R6020YNXC7G R6020YNXC7G Rohm Semiconductor r6020ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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R6020YNXC7G datasheet?p=R6020YNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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Description: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
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R6020YNXC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
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53+4.43 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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