Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6022YNX3C16
R6022YNX3C16

R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor


r6022ynx3c16-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.63 EUR
59+2.44 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote R6022YNX3C16 nach Preis ab 2.41 EUR bis 6.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 Hersteller : ROHM Semiconductor r6022ynx3c16-e.pdf MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.20 EUR
10+4.38 EUR
25+4.33 EUR
100+3.15 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 Hersteller : Rohm Semiconductor r6022ynx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.21 EUR
32+4.51 EUR
50+4.20 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 Hersteller : Rohm Semiconductor r6022ynx3c16-e.pdf Description: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.93 EUR
10+4.56 EUR
100+3.21 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 Hersteller : ROHM r6022ynx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH