Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > R6022YNXC7G
R6022YNXC7G

R6022YNXC7G Rohm Semiconductor

r6022ynxc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.28 EUR
50+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details R6022YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 65W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Weitere Produktangebote R6022YNXC7G nach Preis ab 2.17 EUR bis 9.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6022YNXC7G R6022YNXC7G Rohm Semiconductor r6022ynxc7g-e.pdf Description: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
50+3.19 EUR
100+2.88 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G R6022YNXC7G Rohm Semiconductor r6022ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.12 EUR
50+5.71 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G R6022YNXC7G ROHM Semiconductor r6022ynxc7g-e.pdf MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+5.34 EUR
100+4.77 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G R6022YNXC7G ROHM r6022ynxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 65W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
43+5.43 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G r6022ynxc7g-e.pdf
R6022YNXC7G
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.39 EUR
50+3.19 EUR
100+2.88 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G r6022ynxc7g-e.pdf
R6022YNXC7G
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+7.12 EUR
50+5.71 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G r6022ynxc7g-e.pdf
R6022YNXC7G
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.52 EUR
10+5.34 EUR
100+4.77 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6022YNXC7G r6022ynxc7g-e.pdf
R6022YNXC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 65W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.25 EUR
43+5.43 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH