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R6022YNZ4C13

R6022YNZ4C13 ROHM Semiconductor

r6022ynz4c13-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
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Technische Details R6022YNZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.165 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 205W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf Description: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
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23+7.65 EUR
50+4.88 EUR
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R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
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R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 ROHM r6022ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.165 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 205W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
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Description: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
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50+9.13 EUR
100+8.28 EUR
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Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.165 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 205W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
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