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Technische Details R6022YNZ4C13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote R6022YNZ4C13 nach Preis ab 2.75 EUR bis 9.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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R6022YNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSFPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
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R6022YNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
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R6022YNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6022YNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: To Be Advised |
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