R6024ENZ1C9 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6024ENZ1C9 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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R6024ENZ1C9 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6024ENZ1C9 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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auf Bestellung 444 Stücke:
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| R6024ENZ1C9 |
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