R6024ENZ4C13 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 21+ | 8.23 EUR |
| 26+ | 5.56 EUR |
| 50+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 4.31 EUR |
| 120+ | 3.91 EUR |
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Technische Details R6024ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote R6024ENZ4C13 nach Preis ab 4.38 EUR bis 11.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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R6024ENZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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R6024ENZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6024ENZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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