R6024ENZ4C13 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6024ENZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Supplier Device Package: TO-247, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote R6024ENZ4C13 nach Preis ab 5.9 EUR bis 13.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6024ENZ4C13 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6024ENZ4C13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 245W; TO247-3 Mounting: THT Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Power dissipation: 245W Gate charge: 70nC Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6024ENZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.73 EUR |
| R6024ENZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.73 EUR |
| R6024ENZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.1 EUR |
| R6024ENZ4C13 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
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|---|---|
| 1+ | 13.36 EUR |
| 10+ | 7.02 EUR |
| 100+ | 6.43 EUR |
| 600+ | 6.31 EUR |
| 1200+ | 5.9 EUR |
| R6024ENZ4C13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.64 EUR |
| 30+ | 7.83 EUR |
| 60+ | 7.14 EUR |
| 120+ | 6.56 EUR |
| 510+ | 6.43 EUR |
| R6024ENZ4C13 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 245W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 245W
Gate charge: 70nC
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 245W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 245W
Gate charge: 70nC
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)