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R6024VNXC7G

R6024VNXC7G Rohm Semiconductor

r6024vnxc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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Technische Details R6024VNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.153 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6024VNXC7G R6024VNXC7G Rohm Semiconductor r6024vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R6024VNXC7G R6024VNXC7G Rohm Semiconductor r6024vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R6024VNXC7G R6024VNXC7G Rohm Semiconductor r6024vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
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R6024VNXC7G R6024VNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6024VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
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R6024VNXC7G R6024VNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
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R6024VNXC7G R6024VNXC7G ROHM r6024vnxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.153 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
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R6024VNXC7G ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6024VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 13A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 70W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 153mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
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MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
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Description: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.153 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 13A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 70W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 153mΩ
Mounting: THT
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Kind of channel: enhancement
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