R6025JNXC7G Rohm Semiconductor
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| 55+ | 2.87 EUR |
| 57+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 2.5 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 2.2 EUR |
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Technische Details R6025JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote R6025JNXC7G nach Preis ab 5.32 EUR bis 11.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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R6025JNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6025JNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6025JNXC7G | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6025JNXC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6025JNXC7G | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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| R6025JNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 182mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 75A Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6025JNXC7G | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 182mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 75A Case: TO220FP |
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