R6025JNZC8 Rohm Semiconductor
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Technische Details R6025JNZC8 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF, Packaging: Bag, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote R6025JNZC8 nach Preis ab 11.38 EUR bis 13.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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R6025JNZC8 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V |
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R6025JNZC8 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET NCH 600V 25A POWER |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6025JNZC8 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6025JNZC8 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6025JNZC8 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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