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R6027YNXC7G

R6027YNXC7G Rohm Semiconductor

r6027ynxc7g-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
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Technische Details R6027YNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6027YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.135 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote R6027YNXC7G nach Preis ab 4.52 EUR bis 12.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6027YNXC7G R6027YNXC7G ROHM r6027ynxc7g-e.pdf Description: ROHM - R6027YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.135 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
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24+10.52 EUR
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100+4.52 EUR
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R6027YNXC7G R6027YNXC7G ROHM Semiconductor r6027ynxc7g-e.pdf MOSFETs Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
auf Bestellung 1998 Stücke:
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1+10.86 EUR
10+9.13 EUR
25+8.6 EUR
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250+6.97 EUR
500+6.58 EUR
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R6027YNXC7G R6027YNXC7G Rohm Semiconductor r6027ynxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 200 Stücke:
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15+11.63 EUR
18+9.63 EUR
50+8.89 EUR
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R6027YNXC7G R6027YNXC7G Rohm Semiconductor r6027ynxc7g-e.pdf Description: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
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R6027YNXC7G r6027ynxc7g-e.pdf
R6027YNXC7G
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6027YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.135 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
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Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
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