R6042JNZ4C13 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 14+ | 10.89 EUR |
| 25+ | 10.05 EUR |
| 50+ | 9.31 EUR |
| 100+ | 8.65 EUR |
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Technische Details R6042JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6042JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 495W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote R6042JNZ4C13 nach Preis ab 12.14 EUR bis 19.99 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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R6042JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247GPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 21A, 15V Power Dissipation (Max): 495W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V |
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R6042JNZ4C13 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6042JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6042JNZ4C13 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6042JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 495W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6042JNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6042JNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
R6042JNZ4C13 THT N channel transistors |
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