R6046FNZC8 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
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Technische Details R6046FNZC8 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6046FNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.075 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 46, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 130, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 130, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote R6046FNZC8
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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R6046FNZC8 | ROHM Semiconductor |
MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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R6046FNZC8 | ROHM |
Description: ROHM - R6046FNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.075 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 46 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 130 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 130 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6046FNZC8 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
Produkt ist nicht verfügbar
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| R6046FNZC8 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6046FNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.075 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 130
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ROHM - R6046FNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.075 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 130
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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