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R6049YNX3C16

R6049YNX3C16 Rohm Semiconductor

r6049ynx3c16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details R6049YNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6049YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 448W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6049YNX3C16 R6049YNX3C16 Rohm Semiconductor r6049ynx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 195 Stücke:
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R6049YNX3C16 R6049YNX3C16 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6049YNX3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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R6049YNX3C16 R6049YNX3C16 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6049YNX3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
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R6049YNX3C16 R6049YNX3C16 ROHM r6049ynx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6049YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 448W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
auf Bestellung 96 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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MOSFETs Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 448W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
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