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R6049YNZ4C13

R6049YNZ4C13 ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6049YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 49A, TO-247G, Power MOSFET: R6049YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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Technische Details R6049YNZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 448W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6049YNZ4C13 R6049YNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6049YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
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2+15.52 EUR
10+10.38 EUR
30+8.81 EUR
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R6049YNZ4C13 R6049YNZ4C13 ROHM r6049ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 448W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
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R6049YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6049ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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R6049YNZ4C13 Rohm Semiconductor r6049ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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R6049YNZ4C13 datasheet?p=R6049YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
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Description: ROHM - R6049YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 49 A, 0.082 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 448W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
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