R6050JNZC17 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 25A, 15V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 17.86 EUR |
| 100+ | 17 EUR |
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Technische Details R6050JNZC17 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6050JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.064 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm.
Weitere Produktangebote R6050JNZC17 nach Preis ab 17.03 EUR bis 26.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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R6050JNZC17 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V 50A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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R6050JNZC17 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6050JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.064 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |