R6077VNZC17 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 21+ | 6.99 EUR |
| 26+ | 5.48 EUR |
| 50+ | 4.09 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
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Technische Details R6077VNZC17 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6077VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.051 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote R6077VNZC17 nach Preis ab 11.25 EUR bis 20.06 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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R6077VNZC17 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
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R6077VNZC17 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 29A TO-3PF, PrestoMOS with integrated high-speed diode |
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R6077VNZC17 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R6077VNZC17 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - R6077VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.051 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: To Be Advised |
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