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R6077VNZC17

R6077VNZC17 Rohm Semiconductor

r6077vnzc17-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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Technische Details R6077VNZC17 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6077VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.051 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, Verlustleistung: 113W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6077VNZC17 R6077VNZC17 Rohm Semiconductor r6077vnzc17-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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R6077VNZC17 R6077VNZC17 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6077VNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
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R6077VNZC17 R6077VNZC17 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6077VNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
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R6077VNZC17 R6077VNZC17 ROHM datasheet?p=R6077VNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6077VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.051 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 113W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
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Description: ROHM - R6077VNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.051 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 113W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
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