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R6509KND3TL1

R6509KND3TL1 ROHM

r6509knd3tl-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
102+2.12 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details R6509KND3TL1 ROHM

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 94W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote R6509KND3TL1 nach Preis ab 1.49 EUR bis 4.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6509KND3TL1 R6509KND3TL1 ROHM datasheet?p=R6509KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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R6509KND3TL1 R6509KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6509KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R6509KND3TL1 R6509KND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6509KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.27 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.63 EUR
5000+1.55 EUR
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R6509KND3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
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R6509KND3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.
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