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R6509KNJTL

R6509KNJTL ROHM

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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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Technische Details R6509KNJTL ROHM

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, Dauer-Drainstrom Id: 9, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 94, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 94, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6509KNJTL R6509KNJTL Rohm Semiconductor r6509knjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
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R6509KNJTL R6509KNJTL ROHM 2821281.pdf Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
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