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R6524ENZ4C13

R6524ENZ4C13 ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET
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Technische Details R6524ENZ4C13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
30+5.24 EUR
120+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6524enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.23 EUR
25+8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 ROHM r6524enz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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R6524ENZ4C13 R6524ENZ4C13 Rohm Semiconductor r6524enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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R6524ENZ4C13 datasheet?p=R6524ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6524ENZ4C13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
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R6524ENZ4C13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
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