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R6524KNX3C16

R6524KNX3C16 Rohm Semiconductor

r6524knx3c16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details R6524KNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 253W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
R6524KNX3C16 R6524KNX3C16 Rohm Semiconductor r6524knx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+5.06 EUR
100+4.18 EUR
500+3.78 EUR
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R6524KNX3C16 R6524KNX3C16 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6524KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
auf Bestellung 388 Stücke:
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3+9.53 EUR
10+8.57 EUR
100+7.02 EUR
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R6524KNX3C16 R6524KNX3C16 ROHM datasheet?p=R6524KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
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25+10.22 EUR
37+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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R6524KNX3C16 R6524KNX3C16 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6524KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
auf Bestellung 668 Stücke:
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1+10.78 EUR
10+7.14 EUR
100+5.19 EUR
500+4.65 EUR
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R6524KNX3C16 datasheet?p=R6524KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
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Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
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R6524KNX3C16
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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25+10.22 EUR
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MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
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