R6524KNZ4C13 ROHM Semiconductor
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Technische Details R6524KNZ4C13 ROHM Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 72A, Power dissipation: 245W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.34Ω, Mounting: THT, Gate charge: 45nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote R6524KNZ4C13 nach Preis ab 6.08 EUR bis 11.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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R6524KNZ4C13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT |
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| R6524KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| R6524KNZ4C13 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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