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R8005ANX

R8005ANX Rohm Semiconductor

r8005anx-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
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Technische Details R8005ANX Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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R8005ANX R8005ANX Hersteller : Rohm Semiconductor r8005anx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
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R8005ANX R8005ANX Hersteller : ROHM ROHM-S-A0007229633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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R8005ANX R8005ANX Hersteller : Rohm Semiconductor r8005anx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
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