RABS20M M3G Taiwan Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.24 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2500+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details RABS20M M3G Taiwan Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS, Max. off-state voltage: 1kV, Electrical mounting: SMT, Load current: 2A, Kind of package: reel; tape, Case: ABS, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. forward impulse current: 50A, Max. forward voltage: 1.16V, Features of semiconductor devices: glass passivated.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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RABS20M M3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS Max. off-state voltage: 1kV Electrical mounting: SMT Load current: 2A Kind of package: reel; tape Case: ABS Type of bridge rectifier: single-phase Max. forward impulse current: 50A Max. forward voltage: 1.16V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RABS20M M3G |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Case: ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Case: ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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