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RABS20M M3G

RABS20M M3G Taiwan Semiconductor


Hersteller: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 300ns, 2A, 1000V, Fast Recovery Bridge Rectifier
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Technische Details RABS20M M3G Taiwan Semiconductor

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 2A, Max. forward impulse current: 50A, Case: ABS, Electrical mounting: SMT, Kind of package: reel; tape, Max. forward voltage: 1.16V, Features of semiconductor devices: glass passivated.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RABS20M M3G RABS20M M3G TAIWAN SEMICONDUCTOR RABS20M.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Case: ABS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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RABS20M M3G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Case: ABS
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.16V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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