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RABS20M M3G

RABS20M M3G TAIWAN SEMICONDUCTOR

RABS20M.pdf Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: ABS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.02 EUR
83+0.86 EUR
228+0.31 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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Technische Details RABS20M M3G TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS, Max. off-state voltage: 1kV, Max. forward voltage: 1.16V, Load current: 2A, Max. forward impulse current: 50A, Kind of package: reel; tape, Electrical mounting: SMT, Features of semiconductor devices: glass passivated, Type of bridge rectifier: single-phase, Case: ABS, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RABS20M M3G RABS20M M3G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR RABS20M.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; ABS
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.16V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: ABS
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RABS20M M3G RABS20M M3G Hersteller : Taiwan Semiconductor RABS20M_A2004-1889635.pdf Bridge Rectifiers 300ns, 2A, 1000V, Fast Recovery Bridge Rectifier
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