RBA200N15YANS-3UA03#GB0 Renesas Electronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.97 EUR |
| 10+ | 9.56 EUR |
| 100+ | 7.87 EUR |
| 500+ | 7.16 EUR |
| 2000+ | 6.58 EUR |
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Technische Details RBA200N15YANS-3UA03#GB0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 366W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RBA200N15YANS-3UA03#GB0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RBA200N15YANS-3UA03#GB0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 366W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: REXFET-1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RBA200N15YANS-3UA03#GB0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RBA200N15YANS-3UA03#GB0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 366W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |