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RBA200N15YANS-3UA03#GB0

RBA200N15YANS-3UA03#GB0 Renesas Electronics

REN_r07ds1628ej0100_mosfet_DST_20250918_1.pdf
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
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Technische Details RBA200N15YANS-3UA03#GB0 Renesas Electronics

Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 366W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RBA200N15YANS-3UA03#GB0 RBA200N15YANS-3UA03#GB0 RENESAS 4626347.pdf Description: RENESAS - RBA200N15YANS-3UA03#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1900 Stücke:
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RBA200N15YANS-3UA03#GB0
Hersteller: RENESAS
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Hersteller: RENESAS
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