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RBA300N10EHPF-5UA02#GB0

RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation

rba300n10ehpf-5ua02-datasheet?r=25568077
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 Renesas Electronics r07ds1574ej0103_rba300n10ehpf_5ua02.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1480 Stücke:
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: RENESAS
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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